- 產品型號：TPN7R506NH,L1Q
- 制 造 商：東芝半導體（Toshiba）
- 出廠封裝：8-TSON高級
- 功能類別：單端場效應管
- 功能描述：MOSFET N-CH 30V 53A 8TSON
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東芝半導體公司完整型號：TPN7R506NH,L1Q
制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage
描述：MOSFET N-CH 30V 53A 8TSON
系列：-
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：26A（Tc）
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：7.5 毫歐 @ 13A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 200μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：22nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1800pF @ 30V
功率 - 最大值：42W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerVDFN
供應商器件封裝：8-TSON高級
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