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TPC8A03-H(TE12LQM)
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東芝半導體公司完整型號:TPC8A03-H(TE12LQM)

制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH SBD 17A SOP8 2-6J1B

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):17A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):5.6 毫歐 @ 8.5A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):36nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):3430pF @ 10V

功率 - 最大值:-

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)

供應商器件封裝:8-SOP(5.5x6.0)


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