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TPC8012-H(TE12L,Q)
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東芝半導體公司完整型號:TPC8012-H(TE12L,Q)

制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):200V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):1.8A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):400 毫歐 @ 900mA,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):11nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):440pF @ 10V

功率 - 最大值:-

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)

供應商器件封裝:8-SOP(5.5x6.0)


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