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TK10J80E,S1E
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東芝半導體公司完整型號:TK10J80E,S1E

制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 800V TO-3PN

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):800V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):10A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):1 歐姆 @ 5A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):46nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2000pF @ 25V

功率 - 最大值:250W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3

供應商器件封裝:TO-3P(N)


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