av无码一区二区三-av无码一区二区三区-av无码一区二区三区波多野-av无码一区二区三区人-av无码一区二区三区午夜-av无码一区二区三区鸳鸯影院

RN1130MFV(TL3,T) >>> 東芝半導(dǎo)體芯片，深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供東芝半導(dǎo)體公司RN1130MFV(TL3,T)報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載，想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎？那就馬上與我們聯(lián)系吧！

采購(gòu)RN1130MFV(TL3,T)？不再猶豫，找我們沒(méi)錯(cuò)！對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商，提供免費(fèi)樣品！從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn)，我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)！

東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào)：RN1130MFV(TL3,T)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

系列：-

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V

電阻器 - 基底 (R1) (Ω)：100k

電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω)：100k

不同 Ic、Vce 時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，5V

不同 Ib、Ic 時(shí)的 Vce 飽和值（最大值）：300mV @ 500μA，5mA

電流 - 集電極截止（最大值）：500nA

頻率 - 躍遷：250MHz

功率 - 最大值：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商器件封裝：VESM