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2SK1119(F)
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號:2SK1119(F)

制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):4A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3.8 歐姆 @ 2A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):60nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):700pF @ 25V

功率 - 最大值:100W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB


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