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STW19NM65N
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號:STW19NM65N

制造廠家名稱:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-247

系列:MDmesh II

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):650V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):15.5A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):270 毫歐 @ 7.75A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):55nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1900pF @ 50V

功率 - 最大值:150W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-247-3

供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3


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