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STL17N65M5
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào):STL17N65M5

制造廠家名稱:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT

系列:MDmesh V

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):650V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):1.8A(Ta),10A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):374 毫歐 @ 5.5A, 10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):22nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):816pF @ 100V

功率 - 最大值:2.8W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:4-PowerFlat HV

供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat (8x8) HV


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