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STB25NM60N-1
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號:STB25NM60N-1

制造廠家名稱:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK

系列:MDmesh II

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):21A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):160 毫歐 @ 10.5A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):84nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):2400pF @ 50V

功率 - 最大值:160W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

供應(yīng)商器件封裝:I2PAK


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