- 產品型號：STB200N6F3
- 制 造 商：ST（意法半導體）
- 出廠封裝：D2PAK
- 功能類別：單端場效應管
- 功能描述：MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
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ST意法半導體公司完整型號：STB200N6F3
制造廠家名稱：STMicroelectronics
描述：MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
系列：STripFET?
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：120A（Tc）
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.6 毫歐 @ 60A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：100nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：6800pF @ 25V
功率 - 最大值：330W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：D2PAK
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