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NTR3162PT1G
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào):NTR3162PT1G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT-23

系列:-

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):2.2A(Ta)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):70 毫歐 @ 2.2A,4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):10.3nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):940pF @ 10V

功率 - 最大值:480mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236)


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