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NDD03N60Z-1G
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ON安森美半導體完整型號:NDD03N60Z-1G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 600V IPAK

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):600V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):2.6A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3.6 歐姆 @ 1.2A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):12nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):312pF @ 25V

功率 - 最大值:61W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

供應商器件封裝:I-Pak


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