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NDBA180N10BT4H
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ON安森美半導體完整型號: NDBA180N10BT4H

制造廠家名稱: ON Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET N-CH 100V 180A DPAK

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓(Vdss): 100V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時): 180A(Ta)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 2.8 毫歐 @ 50A,15V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 95nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 6950pF @ 50V

功率 - 最大值: 200W

安裝類型: *

封裝/外殼: *

供應商器件封裝: *


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