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1HN04CH-TL-W
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號: 1HN04CH-TL-W

制造廠家名稱: ON Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET N-CH 100V 0.27A SOT-23

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動

漏源極電壓(Vdss): 100V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 270mA(Ta)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 8 歐姆 @ 140mA,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 2.6V @ 100μA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 0.9nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 15pF @ 20V

功率 - 最大值: 600mW

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供應(yīng)商器件封裝: 3-CPH


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