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Nexperia公司器件型號：PSMN1R1-30EL,127

制造商：Nexperia USA Inc.（安世半導體）-2017年從NXP分離

功能總體描述：MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

所屬類別：FET，MOSFET - 單-晶體管

系列：-

零件狀態：在售

FET 類型：N 溝道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源極電壓（Vdss）：30V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：120A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：243nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：14850pF @ 15V

Vgs（最大值）：±20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：338W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.3 毫歐 @ 25A，10V

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

Nexperia公司標準封裝：I2PAK

封裝形式：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

PSMN1R1-30EL的標準包裝數量(SPQ)：- PCS