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PMXB350UPEZ
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Nexperia公司器件型號:PMXB350UPEZ

制造商:Nexperia USA Inc.(安世半導體)-2017年從NXP分離

功能總體描述:MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3

所屬類別:FET,MOSFET - 單-晶體管

系列:-

零件狀態:在售

FET 類型:P 溝道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源極電壓(Vdss):20V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.2A(Ta)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):-

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值):2.3nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):116pF @ 10V

Vgs(最大值):-

FET 功能:-

功率耗散(最大值):360mW(Ta),5.68W(Tc)

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值):447 毫歐 @ 1.2A,4.5V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝

Nexperia公司標準封裝:DFN1010D-3

封裝形式:3-XDFN

PMXB350UPEZ的標準包裝數量(SPQ):5000 PCS


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