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BSN20BKR
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Nexperia公司器件型號:BSN20BKR

制造商:Nexperia USA Inc.(安世半導體)-2017年從NXP分離

功能總體描述:MOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23

所屬類別:FET,MOSFET - 單-晶體管

系列:-

零件狀態:在售

FET 類型:N 溝道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源極電壓(Vdss):60V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):265mA(Ta)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值):0.49nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):20.2pF @ 30V

Vgs(最大值):±20V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):310mW(Ta)

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 200mA,10V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝

Nexperia公司標準封裝:TO-236AB(SOT23)

封裝形式:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

BSN20BKR的標準包裝數量(SPQ):3000 PCS


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