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PMXB65ENEZ
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NXP恩智浦完整型號:PMXB65ENEZ

制造廠家名稱:NXP Semiconductors

描述:MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):3.2A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):67 毫歐 @ 3.2A, 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):11nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):295pF @ 15V

功率 - 最大值:400mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:3-XFDFN 裸露焊盤

供應(yīng)商器件封裝:3-DFN (1.1x1)


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