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PHB11N06LT,118
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NXP恩智浦完整型號:PHB11N06LT,118

制造廠家名稱:NXP Semiconductors

描述:MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK

系列:TrenchMOS?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):55V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):10.3A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):130 毫歐 @ 5.5A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):5.2nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):330pF @ 25V

功率 - 最大值:33W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝:D2PAK


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