- 產品型號：IPB200N15N3 G
- 制 造 商：Infineon（英飛凌）
- 出廠封裝：PG-TO263-2
- 功能類別：單端場效應管
- 功能描述：MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
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Infineon英飛凌公司完整型號：IPB200N15N3 G
制造廠家名稱：Infineon Technologies
描述：MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
系列：OptiMOS?
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：150V
電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：50A（Tc）
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 90μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：31nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1820pF @ 75V
功率 - 最大值：150W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：PG-TO263-2
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