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Infineon英飛凌公司完整型號：IPB021N06N3 G

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：120A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：2.1 毫歐 @ 100A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 196μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：275nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：23000pF @ 30V

功率 - 最大值：250W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-2