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IXYS公司完整型號：VMM650-01F

制造廠家名稱：IXYS

描述：MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI

系列：HiPerFET?

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：680A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：2.2 毫歐 @ 500A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 30mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1440nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：-

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：Y3-Li

供應商器件封裝：Y3-Li