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IXFN38N100P
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IXYS公司完整型號:IXFN38N100P

制造廠家名稱:IXYS

描述:MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B

系列:HiPerFET, PolarP2

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):38A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):210 毫歐 @ 19A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):6.5V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):350nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):24000pF @ 25V

功率 - 最大值:1000W

安裝類型:底座安裝

封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC

供應(yīng)商器件封裝:SOT-227B


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