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DMG4N65CT
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Diodes公司完整型號:DMG4N65CT

制造廠家名稱:Diodes Incorporated

描述:MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):650V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):4A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3 歐姆 @ 2A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):13.5nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):900pF @ 25V

功率 - 最大值:2.19W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3

供應商器件封裝:TO-220-3


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